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ECH8663R	文件：67.52 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance. • Built-in gate protection resistor. • 2.5V drive. • Best suited for LiB charging and discharging switch. • Common-drain type. • Halogen free compliance. 文件：67.52 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8663R	文件：304.41 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：304.41 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8663R	文件：407.68 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：407.68 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8663R_12	文件：407.68 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：407.68 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8663R-TL-H	文件：304.41 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：304.41 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8663R-TL-H	文件：412.86 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：412.86 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8663R	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual N-Channel Power MOSFET, 30V, 8A, 20.5mΩ ECH8663R is an N-Channel Power MOSFET, 30V, 8A, 20.5mΩ, Dual ECH8 for General-Purpose Switching Device Applications. • Low ON-resistance\n• 2.5V drive\n• Common-drain type\n• Protection diode in\n• Built-in gate protection resistor\n• Best suited for LiB charging and discharging switch;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Dual Common Drain
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
12
VGS(th) Max (V)：
1.3
ID Max (A)：
8
PD Max (W)：
1.4
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
Q1=Q2=28
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
Q1=Q2=20.5
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
10.8
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
12.3
Package Type：
SOT-28 FL/ECH-8

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