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ECH8651R中文资料N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

ECH8651R

参数属性

ECH8651R 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列;产品描述:INTEGRATED CIRCUIT

功能描述

N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
INTEGRATED CIRCUIT

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 20:00:00

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ECH8651R规格书详情

简介

ECH8651R属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列。由制造生产的ECH8651R晶体管 - FET,MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管,因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说,FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子,而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。

技术参数

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  • 产品编号:

    ECH8651R-R-TL-HX

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 描述:

    INTEGRATED CIRCUIT

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