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ECH8619-TL-E数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

ECH8619-TL-E

功能描述

MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-24 11:12:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :ECH8619-TL-E

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • FET 功能

    :逻辑电平门

  • 漏源电压(Vdss)

    :60V

  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

    :3A,2A

  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

    :93 毫欧 @ 1.5A,10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

    :-

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

    :12.8nC @ 10V

  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

    :560pF @ 20V

  • 功率 - 最大值

    :1.5W

  • 工作温度

    :150°C(TJ)

  • 安装类型

    :表面贴装

  • 封装/外壳

    :8-SMD,扁平引线

  • 供应商器件封装

    :8-ECH

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