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8659	文件：439.5 Kbytes Page：1 Pages	LEDLENSCAPS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
8659	文件：241.34 Kbytes Page：21 Pages	AXLFAI4U1H	PhoenixPhoenix Contact 菲尼克斯电气德国菲尼克斯电气集团	Phoenix
8659	文件：123.91 Kbytes Page：1 Pages	Heyco-Flex™ILiquidTightConduit	Heyco Heyco	Heyco
AD8659ACPZ-RL	文件：719.04 Kbytes Page：24 Pages	22muA,RRIO,CMOS,18VOperationalAmplifiers GENERALDESCRIPTION TheAD8657/AD8659aredualandquadmicropower,precision,rail-to-railinput/outputamplifiersoptimizedforlowpowerandwideoperatingsupplyvoltagerangeapplications. TheAD8657/AD8659operatefrom2.7Vto18Vwithatypicalquiescentsupplycurrentof18μA.The	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD8659ARZ	文件：719.04 Kbytes Page：24 Pages	22muA,RRIO,CMOS,18VOperationalAmplifiers GENERALDESCRIPTION TheAD8657/AD8659aredualandquadmicropower,precision,rail-to-railinput/outputamplifiersoptimizedforlowpowerandwideoperatingsupplyvoltagerangeapplications. TheAD8657/AD8659operatefrom2.7Vto18Vwithatypicalquiescentsupplycurrentof18μA.The	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD8659ARZ-RL	文件：719.04 Kbytes Page：24 Pages	22muA,RRIO,CMOS,18VOperationalAmplifiers GENERALDESCRIPTION TheAD8657/AD8659aredualandquadmicropower,precision,rail-to-railinput/outputamplifiersoptimizedforlowpowerandwideoperatingsupplyvoltagerangeapplications. TheAD8657/AD8659operatefrom2.7Vto18Vwithatypicalquiescentsupplycurrentof18μA.The	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
ECH8659	文件：59.98 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelSiliconMOSFETGeneral-PurposeSwitchingDeviceApplications Features •4Vdrive •Compositetype,facilitatinghigh-densitymounting •Halogenfreecompliance •Protectiondiodein	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ECH8659	文件：312.8 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET ThisPowerMOSFETisproducedusingONSemiconductor’strenchtechnology,whichisspecificallydesignedtominimizegatechargeandlowonresistance.Thisdeviceissuitableforapplicationswithlowgatechargedrivingorlowonresistancerequirements. Features •4Vdrive •Compositetype,	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ECH8659	文件：471 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET ThisPowerMOSFETisproducedusingONSemiconductor’strenchtechnology,whichisspecificallydesignedtominimizegatechargeandlowonresistance.Thisdeviceissuitableforapplicationswithlowgatechargedrivingorlowonresistancerequirements. Features •4Vdrive •Compositetype,	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ECH8659	文件：116.76 Kbytes Page：7 Pages	General-PurposeSwitchingDeviceApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
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ECH8659-TL-W	文件：471 Kbytes Page：5 Pages	PowerMOSFET ThisPowerMOSFETisproducedusingONSemiconductor’strenchtechnology,whichisspecificallydesignedtominimizegatechargeandlowonresistance.Thisdeviceissuitableforapplicationswithlowgatechargedrivingorlowonresistancerequirements. Features •4Vdrive •Compositetype,	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
HT8659	文件：857 Kbytes Page：15 Pages	VoiceRecorder(DRAM)	HoltekHolmate Technology Corp. (Holtek) 合泰	Holtek
LB8659FN	文件：267.49 Kbytes Page：16 Pages	DSCMotorDriver	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
LB8659PL	文件：267.49 Kbytes Page：16 Pages	DSCMotorDriver	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
P-8659	文件：416.55 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSFORMERS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
S8659	文件：122.66 Kbytes Page：1 Pages	18watt;pin-basedCompactFluorescent;4100K;82CRI;2G11base	SATCO SATCO	SATCO
TA8659N	文件：1.43359 Mbytes Page：64 Pages	MULTI-COLORVIDEO-CHROMA-DEFLECTION FEATURES -Realizedafullautomaticmulti-color processingincoujunctionwiththe TAB615Nsystemswitch,withminimal externalcomponents. .Forcedsystemselection. -Automaticsystemchangebyasub-carrierdetection. .Themodechangeoutputcanbeusedforswitchingtheextern	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TGA8659-FL	文件：576.74 Kbytes Page：10 Pages	13??5GHz4WPowerAmplifier	TriQuint TriQuint Semiconductor, Inc.	TriQuint

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详细参数

型号：
ECH8659-M-TL-H
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多ECH8659-M-TL-H供应商更新时间2024-5-24 16:12:00

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