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ECH8309	文件：278.47 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Switching Device Applications Features • 1.8V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：278.47 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8309-TL-H	文件：308.95 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET Features • 1.8V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：308.95 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8310	文件：728.83 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Power MOSFET Features • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：728.83 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8310	文件：278.7 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：278.7 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8310-TL-H	文件：728.83 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Power MOSFET Features • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：728.83 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8315	文件：532.21 Kbytes Page：5 Pages	Single P-Channel Power MOSFET This Power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s trench technology, which is specifically designed to low on resistance. This devices is suitable for applications with low on resistance requirements. Features • Low On-Resistance • 4V drive • ESD Diode-Protected Gate • Pb-Free, Halogen F 文件：532.21 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8315	文件：279.69 Kbytes Page：4 Pages	General-Purpose Switching Device Applications P-Channel Silicon MOSFET Features • Low ON-resistance • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：279.69 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8315-TL-H	文件：532.21 Kbytes Page：5 Pages	Single P-Channel Power MOSFET This Power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s trench technology, which is specifically designed to low on resistance. This devices is suitable for applications with low on resistance requirements. Features • Low On-Resistance • 4V drive • ESD Diode-Protected Gate • Pb-Free, Halogen F 文件：532.21 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8315-TL-W	文件：532.21 Kbytes Page：5 Pages	Single P-Channel Power MOSFET This Power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s trench technology, which is specifically designed to low on resistance. This devices is suitable for applications with low on resistance requirements. Features • Low On-Resistance • 4V drive • ESD Diode-Protected Gate • Pb-Free, Halogen F 文件：532.21 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8320	文件：310.04 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET Features • Low ON-resistance • 1.8V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：310.04 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-12
VGS Max (V)：
10
VGS(th) Max (V)：
1.3
ID Max (A)：
-9.5
PD Max (W)：
1.6
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
26
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
16
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
0.016
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
18
Ciss Typ (pF)：
1780
Package Type：
SOT-28 FL/ECH-8

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