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ECH83	文件：375.04 Kbytes Page：14 Pages	ECH83 文件：375.04 Kbytes 页数：14 Pages	PHI 飞利浦	PHI
ECH8302	文件：39.58 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance. • 4V drive. 文件：39.58 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8304	文件：59.15 Kbytes Page：4 Pages	ECH8304 General-Purpose Switching Device Applications Features • Best suited for load switching. • Low ON-resistance. • 1.8V drive. 文件：59.15 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8305	文件：39.18 Kbytes Page：3 Pages	General-Purpose Switching Device Features • Low ON-resistance. • 4V drive. 文件：39.18 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8305	文件：607.88 Kbytes Page：20 Pages	5 to 25 V, VOUT = 1.2 to 22 V, 2-channel DC-DC Controller IC with Step down regulation FEATURES  2-channel DC-DC Step Down Regulator Circuit that employs Voltage Mode Switching Control System  Internal reference voltage is within 2 accuracy  Input Voltage Range : VCC: 5 V ~ 25 V  Adjustable Output Voltage Range with external Resistor : 1.2 V ~ 22 V (Note)  Adjustable Sw 文件：607.88 Kbytes 页数：20 Pages	Panasonic 松下	Panasonic
ECH8306	文件：43.12 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Features • Low ON-resistance. • 4V drive. 文件：43.12 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8308	文件：59.69 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications General-Purpose Switching Device Applications Features • Best suited for load switching • Low ON-resistance • 1.8V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：59.69 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
ECH8308	文件：206.06 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET P-Channel Power MOSFET –12V, –10A, 12.5mΩ, Single ECH8 Features • Best suited for load switching • Low ON-resistance • 1.8V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：206.06 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8308-TL-H	文件：206.06 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET P-Channel Power MOSFET –12V, –10A, 12.5mΩ, Single ECH8 Features • Best suited for load switching • Low ON-resistance • 1.8V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：206.06 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ECH8309	文件：308.95 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel Power MOSFET Features • 1.8V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：308.95 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
-12
VGS Max (V)：
10
VGS(th) Max (V)：
1.3
ID Max (A)：
-9.5
PD Max (W)：
1.6
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
26
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
16
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
0.016
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
18
Ciss Typ (pF)：
1780
Package Type：
SOT-28 FL/ECH-8

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更多ECH83供应商更新时间2025-12-1 10:50:00

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