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ECD6912	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	E-CMOS 飞虹高科	E-CMOS
EN6912D	文件：424.78 Kbytes Page：10 Pages	Bipolar Transistor 文件：424.78 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
EN6912D	文件：507.53 Kbytes Page：10 Pages	High-Current Switching Applications 文件：507.53 Kbytes 页数：10 Pages	SANYO 三洋	SANYO
FDS6912	文件：219.88 Kbytes Page：8 Pages	Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET General Description These N-Channel Logic Level MOSFETs have been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. These MOSFETs feature faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with c 文件：219.88 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

技术参数

Configuration：
Single
MOSFET TyEC：
N
V DS(V)：
60
V GS(V)：
±20
V th (V)：
1.2/1.8/2.5
R DS(ON)(mΩ) max. at V GS =10V：
60/75
V GS =4.5V：
70/90
Ciss(pF)：
500
Coss (pF)：
45
Crss(pF)：
16
Qg (nC)=10V：
9.3
Qgs(nC)：
2.1
Qgd(nC)：
1.8
Rg W：
2
EAS(mJ)：
25
I D(A) Tc=25 ℃：
11
I D(A) Tc=100 ℃：
7
EC(W)Tc=25 ℃：
25
ESDDiode：
X
SchokktyDiode：
X

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