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EN6912D	文件：424.78 Kbytes Page：10 Pages	Bipolar Transistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
EN6912D	文件：507.53 Kbytes Page：10 Pages	High-Current Switching Applications	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
FDS6912	文件：76.47 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelLogicLevelPWMOptimizedPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6912	文件：219.88 Kbytes Page：8 Pages	DualN-ChannelLogicLevelPWMOptimizedPowerTrenchMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelLogicLevelMOSFETshavebeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. TheseMOSFETsfeaturefasterswitchingandlowergatechargethanotherMOSFETswithc	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6912	文件：176.41 Kbytes Page：7 Pages	DualN-ChannelLogicLevelPWMOptimizedPowerTrenchMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelLogicLevelMOSFETshavebeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. TheseMOSFETsfeaturefasterswitchingandlowergatechargethanotherMOSFETswithc	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FDS6912.	文件：176.41 Kbytes Page：7 Pages	DualN-ChannelLogicLevelPWMOptimizedPowerTrenchMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelLogicLevelMOSFETshavebeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. TheseMOSFETsfeaturefasterswitchingandlowergatechargethanotherMOSFETswithc	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FDS6912A	文件：224.24 Kbytes Page：7 Pages	DualN-ChannelLogicLevelPowerTrenchÒMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelLogicLevelMOSFETsareproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Thesedevicesarewellsuitedforlowvoltagea	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FDS6912A	文件：387.35 Kbytes Page：6 Pages	30VDualN-ChannelMOSFET Features •Fastswitchingspeed •Lowgatecharge •Highperformancetrenchtechnologyforextremely lowRDS(ON) •Highpowerandcurrenthandlingcapability (VGS=10V) VDS(V)=30V ID=6A RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
FDS6912A	文件：222.94 Kbytes Page：4 Pages	DualN-Channel,LogicLevel,PowerTrenchTMMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelLogicLevelMOSFETsareproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Thesedevicesarewellsuitedforlowvoltagea	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6912A	文件：121.37 Kbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelLogicLevelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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