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EC4H09C-TL-H	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：4-UFDFN；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 3.5V 26GHZ ECSP1008	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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EC4H09C-TL-H

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Package：4-UFDFN；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 3.5V 26GHZ ECSP1008

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

EC4H09C

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NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistorUHFtoXBandLow-NoiseAmplifierandOSCApplications

NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor Features •Highcut-offfrequency:fT=26GHztyp(VCE=3V). •Lowoperatingvoltage. •Highgain:⏐S21e⏐2=16.5dBtyp(f=2GHz). •Halogenfreecompliance(UL94HB).

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

SANYO

产品属性

产品编号：
EC4H09C-TL-H
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
3.5V
频率 - 跃迁：
26GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.3dB @ 2GHz
增益：
15dB
功率 - 最大值：
120mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
70 @ 5mA，1V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
40mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
4-UFDFN
供应商器件封装：
4-ECSP1008
描述：
RF TRANS NPN 3.5V 26GHZ ECSP1008

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