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EC4H09C	文件：45.94 Kbytes Page：3 Pages	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor UHF to X Band Low-Noise Amplifier and OSC Applications NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Features • High cut-off frequency : fT=26GHz typ (VCE=3V). • Low operating voltage. • High gain : ⏐S21e⏐2=16.5dB typ (f=2GHz). • Halogen free compliance (UL94 HB). 文件：45.94 Kbytes 页数：3 Pages	SANYO 三洋	SANYO
EC4H09C-TL-H	文件：300 bytes Page：1 Pages	RF TRANS NPN 3.5V 26GHZ ECSP1008	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
EC4H09C-TL-H	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：4-UFDFN；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 3.5V 26GHZ ECSP1008	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
EC800ECNCG-N03-SNNSA	文件：0 bytes Page：0 Pages	移远 LCC	移远上传：深圳市展煜电子有限公司	移远
EC800ECNLE-N03-SNNSA	文件：0 bytes Page：0 Pages	移远 LCC	移远上传：深圳市展煜电子有限公司	移远

技术参数

电压 - 集射极击穿（最大值）：
3.5V
频率 - 跃迁：
26GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.3dB @ 2GHz
增益：
15dB
功率 - 最大值：
120mW
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：
70 @ 5mA，1V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
40mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
4-UFDFN
供应商器件封装：
4-ECSP1008

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更多EC4H09C供应商更新时间2025-10-5 11:01:00

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