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EC4H09C分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

EC4H09C
厂商型号

EC4H09C

参数属性

EC4H09C 封装/外壳为4-UFDFN;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 3.5V 26GHZ ECSP1008

功能描述

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor UHF to X Band Low-Noise Amplifier and OSC Applications

封装外壳

4-UFDFN

文件大小

45.94 Kbytes

页面数量

3

生产厂商 Sanyo Semicon Device
企业简称

SANYO三洋

中文名称

三洋电机株式会社官网

原厂标识
SANYO
数据手册

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更新时间

2025-8-3 23:00:00

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EC4H09C规格书详情

NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor

特性 Features

• High cut-off frequency : fT=26GHz typ (VCE=3V).

• Low operating voltage.

• High gain : ⏐S21e⏐2=16.5dB typ (f=2GHz).

• Halogen free compliance (UL94 HB).

产品属性

  • 产品编号:

    EC4H09C-TL-H

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    3.5V

  • 频率 - 跃迁:

    26GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.3dB @ 2GHz

  • 增益:

    15dB

  • 功率 - 最大值:

    120mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 5mA,1V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    40mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    4-UFDFN

  • 供应商器件封装:

    4-ECSP1008

  • 描述:

    RF TRANS NPN 3.5V 26GHZ ECSP1008

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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