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EC4H09C-TL-H中文资料RF TRANS NPN 3.5V 26GHZ ECSP1008数据手册ONSEMI规格书
EC4H09C-TL-H规格书详情
简介
EC4H09C-TL-H属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由制造生产的EC4H09C-TL-H晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
技术参数
更多- 制造商编号
：EC4H09C-TL-H
- 生产厂家
：ONSEMI
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
：3.5V
- 频率 - 跃迁
：26GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）
：1.3dB @ 2GHz
- 增益
：15dB
- 功率 - 最大值
：120mW
- 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
：70 @ 5mA，1V
- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）
：40mA
- 工作温度
：150°C（TJ）
- 安装类型
：表面贴装
- 封装/外壳
：4-UFDFN
- 供应商器件封装
：4-ECSP1008
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SANYO/三洋 |
24+ |
NA/ |
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SANYO/三洋 |
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8 |
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