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DXTP5860CFDB	文件：412 Kbytes Page：7 Pages	60V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR IN U-DFN2020-3 Features BVCEO > -60V hFE Specified up to- 5A for High Current Gain Hold Up Low Profile 0.6mm High Package for Thin Applications Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) For automotive applications requiring specific change co 文件：412 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DXTP5860CFDB-7	文件：412 Kbytes Page：7 Pages	丝印：2F0；Package：U-DFN2020-3；60V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR IN U-DFN2020-3 Features BVCEO > -60V hFE Specified up to- 5A for High Current Gain Hold Up Low Profile 0.6mm High Package for Thin Applications Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) For automotive applications requiring specific change co 文件：412 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DXTP5860CFDB	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP, 60V, 4A, DFN2020-3 •BVceo>-60V\n•hFE Specified up to -5A for High Current Gain Hold Up\n•Low Profile 0.6mm High Package for Thin Applications\n•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant\n•Halogen and Antimony Free. “Green” Device\n•Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability;	Diodes 美台半导体	Diodes
DXTP5860CFDB-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-UDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020	PAM 龙鼎微	PAM

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
On Request*
Product Type：
PNP
IC (A)：
4 A
ICM (A)：
8 A
PD (W)：
1.25 W
hFE (min)：
170 Min
hFE(@ IC)：
0.5 A
hFE(Min 2)：
50
hFE(@ IC2)：
5 A
VCE (SAT)Max (mV)：
55 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
0.5/50
VCE (SAT)(Max.2)：
300 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)：
5/250
fT (MHz)：
130 MHz
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
U-DFN2020-3 (Type B)

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更多DXTP5860CFDB供应商更新时间2025-10-9 11:06:00

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