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DXTP5860CFDB-7

丝印:2F0;Package:U-DFN2020-3;60V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR IN U-DFN2020-3

Features BVCEO > -60V hFE Specified up to- 5A for High Current Gain Hold Up Low Profile 0.6mm High Package for Thin Applications Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) For automotive applications requiring specific change co

文件:412 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

DXTP5860CFDB-7

Package:3-UDFN 裸露焊盘;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020

PAM

龙鼎微

DXW21BN7511SL

MURATA
SMD

产品属性

  • 产品编号:

    DXTP5860CFDB-7

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    450mV @ 250mA,5A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    170 @ 500mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    130MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-UDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    U-DFN2020-3(B 类)

  • 描述:

    PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020

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更多DXTP5860CFDB-7供应商 更新时间2025-10-4 11:06:00