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DXTP5860CFDB-7分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
DXTP5860CFDB-7 |
| 参数属性 | DXTP5860CFDB-7 封装/外壳为3-UDFN 裸露焊盘；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020 |
| 功能描述 | 60V PNP LOW SATURATION TRANSISTOR IN U-DFN2020-3 |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | U-DFN2020-3 / 3-UDFN 裸露焊盘 |
| 文件大小 |
412 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | DIODES |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-26 12:26:00 |
| 人工找货 | DXTP5860CFDB-7价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
DXTP5860CFDB-7规格书详情
DXTP5860CFDB-7属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由美台半导体制造生产的DXTP5860CFDB-7晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
特性 Features
BVCEO > -60V
hFE Specified up to- 5A for High Current Gain Hold Up
Low Profile 0.6mm High Package for Thin Applications
Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
For automotive applications requiring specific change
control (i.e.: parts qualified to AEC-Q100/101/200, PPAP
capable, and manufactured in IATF 16949 certified facilities),
please refer to the related automotive grade (Q-suffix) part. A
listing can be found at
https://www.diodes.com/products/automotive/automotiveproducts/.
This part is qualified to JEDEC standards (as references in
AEC-Q) for High Reliability.
https://www.diodes.com/quality/product-definitions/
Applications
DC-DC Converters
Charging Circuits
Motor Control
Power Switches
产品属性
更多- 产品编号：
DXTP5860CFDB-7
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
450mV @ 250mA，5A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
170 @ 500mA，2V
- 频率 - 跃迁：
130MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
3-UDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
U-DFN2020-3（B 类）
- 描述：
PWR LOW SAT TRANSISTOR U-DFN2020
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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23+ |
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