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DXTP07100BFG分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

DXTP07100BFG
厂商型号

DXTP07100BFG

参数属性

DXTP07100BFG 封装/外壳为8-PowerVDFN;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

功能描述

100V PNP HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR IN POWERDI3333-8

封装外壳

8-PowerVDFN

文件大小

787.16 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES美台半导体

中文名称

美台半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-2 23:00:00

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DXTP07100BFG规格书详情

Features

BVCEO > -100V

Small Form Factor Thermally Efficient Package.

Enables Higher Density End Products

IC = -2A High Continuous Current

ICM = -6A Peak Pulse Current

Low Saturation Voltage VCE(sat) < -250mV @ -1A

Complementary NPN Type: DXTN07100BFG

Rated to +175°C—Ideal For High Temperature Environment

Wettable Flank For Improved Optical Inspection

Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Applications

High Side Switch

MOSFET or IGBT Gate Driving

产品属性

  • 产品编号:

    DXTP07100BFGQ-7

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 500mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    140MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装,可润湿侧翼

  • 封装/外壳:

    8-PowerVDFN

  • 供应商器件封装:

    PowerDI3333-8(SWP)UX 类

  • 描述:

    PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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