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DXTN3C60PS-13分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
DXTN3C60PS-13 |
| 参数属性 | DXTN3C60PS-13 封装/外壳为8-PowerTDFN；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：SS LOW SAT TRANSISTOR POWERDI506 |
| 功能描述 | NPN LOW SAT MEDIUM POWER TRANSISTOR |
| 封装外壳 | 8-PowerTDFN |
| 文件大小 |
528.57 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | DIODES |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-13 23:00:00 |
| 人工找货 | DXTN3C60PS-13价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
DXTN3C60PS-13规格书详情
DXTN3C60PS-13属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由美台半导体制造生产的DXTN3C60PS-13晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
产品属性
更多- 产品编号：
DXTN3C60PS-13
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
270mV @ 300mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 500mA，2V
- 频率 - 跃迁：
140MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-PowerTDFN
- 供应商器件封装：
PowerDI5060-8
- 描述：
SS LOW SAT TRANSISTOR POWERDI506
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES(美台) |
24+ |
DFN3(2x2) |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
DIODES/美台 |
2450+ |
U-DFN2020-3 |
9850 |
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询价 | ||
DIODESINCORPORATED |
9999 |
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询价 | ||||
DIODES/美台 |
23+ |
NA |
12730 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
Diodes Incorporated |
2022+ |
- |
38550 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
N/A |
500000 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
20+ |
DFN3.3x3.3 |
120000 |
只做原装 可免费提供样品 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
2511 |
DFN5X6-8 |
360000 |
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24+ |
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Diodes |
25+ |
NA |
60000 |
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