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DXTN3C60PS-13	文件：528.57 Kbytes Page：8 Pages	NPN LOW SAT MEDIUM POWER TRANSISTOR	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DXTN3C60PS-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-PowerTDFN；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：SS LOW SAT TRANSISTOR POWERDI506	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
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产品属性

产品编号：
DXTN3C60PS-13
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
270mV @ 300mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 500mA，2V
频率 - 跃迁：
140MHz
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-PowerTDFN
供应商器件封装：
PowerDI5060-8
描述：
SS LOW SAT TRANSISTOR POWERDI506

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