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DXTP03200BP5分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

DXTP03200BP5
厂商型号

DXTP03200BP5

参数属性

DXTP03200BP5 封装/外壳为PowerDI™ 5;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5 T

功能描述

200V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR PowerDI짰5

封装外壳

PowerDI™ 5

文件大小

148.86 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES美台半导体

中文名称

美台半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-26 22:59:00

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DXTP03200BP5规格书详情

Features

• BVCEO = -200V

• IC = -2A High Continuous Collector Current

• ICM = -5A Peak Collector Current

• PD up to 3.2W

• 43 smaller than SOT223; 60 smaller than TO252 (DPAK)

• Maximum height just 1.1mm

• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Application

• DC – DC Conversion

• Telecoms

• Power Management

产品属性

  • 产品编号:

    DXTP03200BP5Q-13

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    275mV @ 400mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 1A,5V

  • 频率 - 跃迁:

    105MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    PowerDI™ 5

  • 供应商器件封装:

    PowerDI™ 5

  • 描述:

    PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5 T

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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