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DXTP03200BP5	文件：148.86 Kbytes Page：7 Pages	200V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR PowerDI짰5 Features • BVCEO = -200V • IC = -2A High Continuous Collector Current • ICM = -5A Peak Collector Current • PD up to 3.2W • 43 smaller than SOT223; 60 smaller than TO252 (DPAK) • Maximum height just 1.1mm • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimon 文件：148.86 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DXTP03200BP5	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP, 200V, 2A, PowerDI5	Diodes 美台半导体	Diodes
DXTP03200BP5-13	文件：148.86 Kbytes Page：7 Pages	200V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR PowerDI짰5 Features • BVCEO = -200V • IC = -2A High Continuous Collector Current • ICM = -5A Peak Collector Current • PD up to 3.2W • 43 smaller than SOT223; 60 smaller than TO252 (DPAK) • Maximum height just 1.1mm • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimon 文件：148.86 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DXTP03200BP5_15	文件：148.86 Kbytes Page：7 Pages	200V PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR PowerDI짰5 文件：148.86 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DXTP03200BP5Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP, 200V, 2A, PowerDI5 This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications. •BVCEO = -200V\n•IC = -2A High Continuous Collector Current\n•ICM = -5A Peak Collector Current\n•PD up to 3.2W\n•43% smaller than SOT223; 60% smaller than TO252 (DPAK)\n•Maximum height just 1.1mm\n•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)\n•Halogen and Antimony Free. “Green” De;	Diodes 美台半导体	Diodes
DXTP03200BP5-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：PowerDI™ 5；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 200V 2A POWERDI5	PAM 龙鼎微	PAM
DXTP03200BP5Q-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：PowerDI™ 5；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR PDI5 T	PAM 龙鼎微	PAM

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
On Request*
Product Type：
PNP
IC (A)：
2 A
ICM (A)：
5 A
PD (W)：
3.2 W
hFE (min)：
100 Min
hFE(@ IC)：
1 A
hFE(Min 2)：
20
hFE(@ IC2)：
2 A
VCE (SAT)Max (mV)：
155 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
1/10
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)：
2/400
fT (MHz)：
105
VCE (SAT)(Max.2)：
275 mV
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
PowerDI5

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