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DXTP3C60PS-13分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

DXTP3C60PS-13

参数属性

DXTP3C60PS-13 封装/外壳为8-PowerTDFN;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 60V 3A POWERDI5060-8

功能描述

PNP LOW SAT MEDIUM POWER TRANSISTOR
TRANS PNP 60V 3A POWERDI5060-8

封装外壳

8-PowerTDFN

文件大小

659.78 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

DIODES

中文名称

美台半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-2 12:00:00

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DXTP3C60PS-13规格书详情

DXTP3C60PS-13属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由美台半导体制造生产的DXTP3C60PS-13晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    DXTP3C60PS-13

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    360mV @ 300mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    150 @ 500mA,2V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-PowerTDFN

  • 供应商器件封装:

    PowerDI5060-8

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 3A POWERDI5060-8

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