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DXTP3C60PS	文件：659.78 Kbytes Page：7 Pages	PNP LOW SAT MEDIUM POWER TRANSISTOR 文件：659.78 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DXTP3C60PS-13	文件：659.78 Kbytes Page：7 Pages	PNP LOW SAT MEDIUM POWER TRANSISTOR 文件：659.78 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DXTP3C60PS	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP, 60V, 3A, PowerDI5060-8 •BVCEO > -60V\n•IC = -3A Continuous Collector Current\n•ICM = -8A Peak Pulse Current\n•RCE(SAT) <120mΩ \n•Rated to +175C – Ideal for High Ambient Temperature Environments;	Diodes 美台半导体	Diodes
DXTP3C60PSQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	bipolar-transistors	Diodes 美台半导体	Diodes
DXTP3C60PS-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-PowerTDFN；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 3A POWERDI5060-8	PAM 龙鼎微	PAM
DXTP3C60PSQ-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-PowerTDFN；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 60V 3A POWERDI5060-8	PAM 龙鼎微	PAM

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
DXTP3C60PSQ
Product Type：
PNP
IC (A)：
3 A
ICM (A)：
8 A
PD (W)：
5 W
hFE (min)：
150 Min
hFE(@ IC)：
1 A
hFE(Min 2)：
35
hFE(@ IC2)：
3 A
VCE (SAT)Max (mV)：
225 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
0.5/50
VCE (SAT)(Max.2)：
360 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)：
3/300
fT (MHz)：
100 MHz
RCE(SAT)：
120 mΩ
Packages：
PowerDI5060-8

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