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DXTP3C60PS中文资料PNP, 60V, 3A, PowerDI5060-8数据手册Diodes规格书

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厂商型号

DXTP3C60PS

参数属性

DXTP3C60PS 封装/外壳为8-PowerTDFN;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 60V 3A POWERDI5060-8

功能描述

PNP, 60V, 3A, PowerDI5060-8
TRANS PNP 60V 3A POWERDI5060-8

封装外壳

8-PowerTDFN

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-11-24 20:00:00

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DXTP3C60PS规格书详情

特性 Features

•BVCEO > -60V
•IC = -3A Continuous Collector Current
•ICM = -8A Peak Pulse Current
•RCE(SAT) <120mΩ 
•Rated to +175C – Ideal for High Ambient Temperature Environments

应用 Application

•Power Management
•Load Switch
•Linear Mode Voltage Regulator
•Backlighting Applications

简介

DXTP3C60PS属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由Diodes制造生产的DXTP3C60PS晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :DXTP3C60PS

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP)

    :DXTP3C60PSQ

  • Product Type

    :PNP

  • IC (A)

    :3 A

  • ICM (A)

    :8 A

  • PD (W)

    :5 W

  • hFE (min)

    :150 Min

  • hFE(@ IC)

    :1 A

  • hFE(Min 2)

    :35

  • hFE(@ IC2)

    :3 A

  • VCE (SAT)Max (mV)

    :225 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)

    :0.5/50

  • VCE (SAT)(Max.2)

    :360 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)

    :3/300

  • fT (MHz)

    :100 MHz

  • RCE(SAT)

    :120 mΩ

  • Packages

    :PowerDI5060-8

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