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DXTP07060BFG中文资料PNP, 60V, 3A, PowerDI3333-8数据手册Diodes规格书

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厂商型号

DXTP07060BFG

参数属性

DXTP07060BFG 封装/外壳为8-PowerVDFN;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

功能描述

PNP, 60V, 3A, PowerDI3333-8
PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

封装外壳

8-PowerVDFN

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 16:38:00

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DXTP07060BFG规格书详情

描述 Description

60V PNP HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR IN PowerDI3333-8

特性 Features

•BVCEO > -60V
•Small Form Factor Thermally Efficient Package.
•Enables Higher Density End Products
•IC = -3A High Continuous Current
•ICM = -6A Peak Pulse Current
•Low Saturation Voltage VCE(SAT) < -250mV @ -1A
•Complementary NPN Type: DXTN07060BFG
•Rated to +175°C – Ideal For High Temperature Environment
•Wettable Flank For Improved Optical Inspection
•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
•Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
•Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

应用 Application

•High Side Switch
•MOSFET or IGBT Gate Driver

简介

DXTP07060BFG属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的DXTP07060BFG晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :DXTP07060BFG

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP)

    :On Request*

  • Product Type

    :PNP

  • IC (A)

    :3 A

  • ICM (A)

    :6 A

  • PD (W)

    :2.3 W

  • hFE (min)

    :100 Min

  • hFE(@ IC)

    :0.5 A

  • hFE(Min 2)

    :40

  • hFE(@ IC2)

    :1 A

  • VCE (SAT)Max (mV)

    :250 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)

    :1/10

  • VCE (SAT)(Max.2)

    :500 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)

    :3/300

  • fT (MHz)

    :100 MHz

  • RCE(SAT)

    :N/A mΩ

  • Packages

    :PowerDI3333-8 (SWP) (Type UX)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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