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DXTP07040CFGQ数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

DXTP07040CFGQ

参数属性

DXTP07040CFGQ 封装/外壳为8-PowerVDFN;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 40V 3A POWERDI3

功能描述

PNP

封装外壳

8-PowerVDFN

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-15 23:01:00

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DXTP07040CFGQ规格书详情

描述 Description

40V PNP LOW VCESAT TRANSISTOR IN POWERDI3333-8

特性 Features

• BVCEO > -40V
• Small Form Factor Thermally Efficient Package.• Enables Higher Density End Products
• IC = -3A High Continuous Current
• ICM = -6A Peak Pulse Current
• Low Saturation Voltage VCE(sat) < -400mV @ -1A
• Minimum hFE 200 @ IC=-1A
• Rated to +175°C—Ideal For High Temperature Environment
• Wettable Flank For Improved Optical Inspection
• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
• PPAP Capable (Note 4)

应用 Application

• High-Side Switch
• Low Drop Out Regulator
• MOSFET or IGBT Gate Driving

技术参数

  • 制造商编号

    :DXTP07040CFGQ

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :Yes

  • Product Type

    :PNP

  • IC

    :3 A

  • ICM

    :6 A

  • PD

    :0.9 W

  • hFE

    :100 Min

  • hFE (@ IC)

    :0.5 A

  • hFE (Min 2)

    :150

  • hFE (@ IC2)

    :1 A

  • VCE (SAT) Max

    :250 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A) (A/m A)

    :2/50

  • VCE (SAT) (Max.2)

    :400 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)

    :0.5 / 5

  • fT

    :100 MHz

  • RCE(SAT)

    :N/A mΩ

  • Packages

    :PowerDI3333-8

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