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DSS3515M_15	文件：374.57 Kbytes Page：7 Pages	15V PNP LOW VCE(sat) TRANSISTOR 文件：374.57 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DSS3540M_15	文件：414.47 Kbytes Page：7 Pages	40V PNP LOW VCE(sat) TRANSISTOR 文件：414.47 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DSS3515MQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	15V PNP LOW VCESAT TRANSISTOR This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirement of Automotive Applications. •BVCEO > -15V\n•IC = -500mA High Collector Current\n•ICM = -1A Peak Pulse Current\n•PD = 1000mW Power Dissipation\n•Low Collector-Emitter Saturation Voltage, VCE(SAT)\n•0.60mm2 Package Footprint, 13 Times Smaller than SOT23\n•0.5mm Height Package Minimizing Off-Board Profile\n•Complementary NPN Type;	Diodes 美台半导体	Diodes
DSS3515M	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP, 15V, 0.5A, DFN1006-3	Diodes 美台半导体	Diodes
DSS3540MQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP, 40V, 0.5A, DFN1006-3	Diodes 美台半导体	Diodes
DSS3515M-7B	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-UFDFN；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 15V 0.5A 3DFN	PAM 龙鼎微	PAM
DSS3515MQ-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-UFDFN；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：SS LOW SAT TRANSISTOR X1-DFN1006	PAM 龙鼎微	PAM
DSS3540M-7B	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-UFDFN；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 40V 0.5A 3DFN	PAM 龙鼎微	PAM

技术参数

Compliance(Only Automotive supports PPAP)：
Standard
Polarity：
PNP
IC (A)：
0.5
ICM (A)：
1
PD (W)：
0.4
hFE (Min)：
150
hFE (@ IC) (A)：
0.1
hFE(Min 2)：
90
hFE (@ IC2) (A)：
0.5
VCE(sat) Max (mV)：
25
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA)：
0.01/0.5
VCE(sat) (Max.2) (mV)：
250
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA)：
0.5/50
fT (MHz)：
340
RCE(sat) (mΩ)：
500
Packages：
X1-DFN1006-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DSS35供应商更新时间2025-10-5 16:50:00

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