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DSS3515M数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

DSS3515M

参数属性

DSS3515M 封装/外壳为3-UFDFN;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:SS LOW SAT TRANSISTOR X1-DFN1006

功能描述

PNP, 15V, 0.5A, DFN1006-3

封装外壳

3-UFDFN

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-9 23:01:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :DSS3515M

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance(Only Automotive supports PPAP)

    :Standard

  • Polarity

    :PNP

  • IC (A)

    :0.5

  • ICM (A)

    :1

  • PD (W)

    :0.4

  • hFE (Min)

    :150

  • hFE (@ IC) (A)

    :0.1

  • hFE(Min 2)

    :90

  • hFE (@ IC2) (A)

    :0.5

  • VCE(sat) Max (mV)

    :25

  • VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA)

    :0.01/0.5

  • VCE(sat) (Max.2) (mV)

    :250

  • VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA)

    :0.5/50

  • fT (MHz)

    :340

  • RCE(sat) (mΩ)

    :500

  • Packages

    :X1-DFN1006-3

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