DSS3515MQ数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
DSS3515MQ规格书详情
描述 Description
This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirement of Automotive Applications.
特性 Features
•BVCEO > -15V
•IC = -500mA High Collector Current
•ICM = -1A Peak Pulse Current
•PD = 1000mW Power Dissipation
•Low Collector-Emitter Saturation Voltage, VCE(SAT)
•0.60mm2 Package Footprint, 13 Times Smaller than SOT23
•0.5mm Height Package Minimizing Off-Board Profile
•Complementary NPN Type DSS2515M
•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
•Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
•Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
•PPAP Capable (Note 4)
技术参数
- 制造商编号
：DSS3515MQ
- 生产厂家
：Diodes
- Automotive Compliant PPAP
：Yes
- Product Type
：PNP
- IC
：0.5 A
- ICM
：1 A
- PD
：0.25 W
- hFE (@ IC)
：0.01 A
- hFE (Min 2)
：90
- hFE (@ IC2)
：0.5 A
- VCE (SAT) Max
：25 mV
- VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)
：0.01/0.5
- VCE (SAT) (Max.2)
：250 mV
- VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A)
：0.5/50
- fT
：100 MHz
- RCE(SAT)
：500 mΩ
- Packages
：X1-DFN1006-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODESINCORPORATED |
9999 |
原装现货支持BOM配单服务 |
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DIODES/美台 |
23+ |
NA |
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MITSUBISHI |
23+ |
NA |
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DIODES/美台 |
23+ |
NA |
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DIODES(美台) |
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DFN3(1x0.6) |
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3-UFDFN |
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