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DSS2540M	文件：132.93 Kbytes Page：5 Pages	40V LOW VCE(sat) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • BVCEO > 40V • IC = 500mA High Collector Current • ICM = 1A Peak Pulse Current • PD = 1000mW Power Dissipation • Low Collector-Emitter Saturation Voltage, VCE(sat) • 0.60mm2 Package Footprint, 13 times Smaller than SOT23 • 0.5mm Height Package Minimizing Off-Board Profile • Compl 文件：132.93 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DSS2540M-7	文件：132.93 Kbytes Page：5 Pages	40V LOW VCE(sat) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • BVCEO > 40V • IC = 500mA High Collector Current • ICM = 1A Peak Pulse Current • PD = 1000mW Power Dissipation • Low Collector-Emitter Saturation Voltage, VCE(sat) • 0.60mm2 Package Footprint, 13 times Smaller than SOT23 • 0.5mm Height Package Minimizing Off-Board Profile • Compl 文件：132.93 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DSS2540M-7B	文件：132.93 Kbytes Page：5 Pages	40V LOW VCE(sat) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • BVCEO > 40V • IC = 500mA High Collector Current • ICM = 1A Peak Pulse Current • PD = 1000mW Power Dissipation • Low Collector-Emitter Saturation Voltage, VCE(sat) • 0.60mm2 Package Footprint, 13 times Smaller than SOT23 • 0.5mm Height Package Minimizing Off-Board Profile • Compl 文件：132.93 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DSS2540M_15	文件：409.86 Kbytes Page：7 Pages	40V NPN LOW VCE(sat) TRANSISTOR 文件：409.86 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DSS2540M	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN, 40V, 0.5A, DFN1006-3	Diodes 美台半导体	Diodes
DSS2540M-7B	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：3-UFDFN；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 40V 0.5A 3DFN	PAM 龙鼎微	PAM

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
On Request*
Product Type：
NPN
IC (A)：
0.5 A
ICM (A)：
1 A
PD (W)：
0.25 W
hFE (min)：
200 Min
hFE(@ IC)：
0.01 A
hFE(Min 2)：
50
hFE(@ IC2)：
0.5 A
VCE (SAT)Max (mV)：
50 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A) (A/m A)：
0.5/50
VCE (SAT)(Max.2)：
250 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
0.1/1
fT (MHz)：
250 MHz
RCE(SAT)：
500 mΩ
Packages：
X1-DFN1006-3

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更多DSS2540M供应商更新时间2025-10-6 17:04:00

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