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DSS2540M-7

40V LOW VCE(sat) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features • BVCEO > 40V • IC = 500mA High Collector Current • ICM = 1A Peak Pulse Current • PD = 1000mW Power Dissipation • Low Collector-Emitter Saturation Voltage, VCE(sat) • 0.60mm2 Package Footprint, 13 times Smaller than SOT23 • 0.5mm Height Package Minimizing Off-Board Profile • Compl

文件:132.93 Kbytes 页数:5 Pages

DIODES

美台半导体

DSS2540M-7B

40V LOW VCE(sat) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features • BVCEO > 40V • IC = 500mA High Collector Current • ICM = 1A Peak Pulse Current • PD = 1000mW Power Dissipation • Low Collector-Emitter Saturation Voltage, VCE(sat) • 0.60mm2 Package Footprint, 13 times Smaller than SOT23 • 0.5mm Height Package Minimizing Off-Board Profile • Compl

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DIODES

美台半导体

DSS2540M-7B

Package:3-UFDFN;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 40V 0.5A 3DFN

DIODES

美台半导体

DSS4540X-13

sot89

DIODES/美台

DSS6NE52A222Q55B

DIP-3

MURATA/村田

上传:深圳市凌旭科技有限公司

MURATA/村田

详细参数

  • 型号:

    DSS2540M-7

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT SS Low Sat Transisto X1-DFN1006-3,10K

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
DiodesZetex
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NA
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DIODES
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X1DFN10063
48000
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更多DSS2540M-7供应商 更新时间2025-12-10 14:17:00