DSS2540M分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
DSS2540M |
| 参数属性 | DSS2540M 封装/外壳为3-UFDFN；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 40V 0.5A 3DFN |
| 功能描述 | 40V LOW VCE(sat) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| 封装外壳 | 3-UFDFN |
| 文件大小 |
132.93 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | Diodes Incorporated |
| 企业简称 |
DIODES【美台半导体】 |
| 中文名称 | 美台半导体官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-3 23:22:00 |
| 人工找货 | DSS2540M价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
DSS2540M规格书详情
特性 Features
• BVCEO > 40V
• IC = 500mA High Collector Current
• ICM = 1A Peak Pulse Current
• PD = 1000mW Power Dissipation
• Low Collector-Emitter Saturation Voltage, VCE(sat)
• 0.60mm2 Package Footprint, 13 times Smaller than SOT23
• 0.5mm Height Package Minimizing Off-Board Profile
• Complementary NPN Type DSS3540M
• Totally Lead Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
• Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3)
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
产品属性
- 产品编号：
DSS2540M-7B
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 50mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
150 @ 100mA，2V
- 频率 - 跃迁：
300MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
3-UFDFN
- 供应商器件封装：
X1-DFN1006-3
- 描述：
TRANS NPN 40V 0.5A 3DFN
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
24+ |
NA |
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