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PSMN015-100B	文件：146.19 Kbytes Page：9 Pages	N-channelTrenchMOStransistor	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PSMN015-100B	文件：102.98 Kbytes Page：9 Pages	N-channelTrenchMOStransistor GENERALDESCRIPTION SiliconMAXproductsusethelatestPhilipsTrenchtechnologytoachievethelowestpossibleon-stateresistanceineachpackageateachvoltagerating. FEATURES •’Trench’technology •Verylowon-stateresistance •Fastswitching •Lowthermalresistance Applications:-	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PSMN015-100B	文件：213.53 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOSSiliconMAXstandardlevelFET Generaldescription SiliconMAXstandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedforuseincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. Featuresandbenefits ■	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PSMN015-100B	文件：711.99 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOSSiliconMAXstandardlevelFET 1.1Generaldescription SiliconMAXstandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)in aplasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedfor useincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandb	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSMN015-100P	文件：712.62 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOSSiliconMAXstandardlevelFET 1.1Generaldescription SiliconMAXstandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)in aplasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedfor useincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandb	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSMN015-100P	文件：217.01 Kbytes Page：12 Pages	N-channelTrenchMOSSiliconMAXstandardlevelFET	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PSMN015-100P	文件：949.09 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PSMN015-100P	文件：146.19 Kbytes Page：9 Pages	N-channelTrenchMOStransistor	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PSMN015-100P	文件：102.98 Kbytes Page：9 Pages	N-channelTrenchMOStransistor GENERALDESCRIPTION SiliconMAXproductsusethelatestPhilipsTrenchtechnologytoachievethelowestpossibleon-stateresistanceineachpackageateachvoltagerating. FEATURES •’Trench’technology •Verylowon-stateresistance •Fastswitching •Lowthermalresistance Applications:-	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PSMN015-100YL	文件：726.68 Kbytes Page：13 Pages	N-channel100V,15m廓logiclevelMOSFETinLFPAK56	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSMN015-100YSF	文件：332.13 Kbytes Page：14 Pages	NextPower100V,15.5mOhmN-channelMOSFETinLFPAK56package 1.Generaldescription NextPower100V,standardlevelgatedriveMOSFET.Qualifiedto175°Candrecommendedfor industrialandconsumerapplications. 2.Featuresandbenefits •LowQrrforhigherefficiencyandlowerspiking •LowQG×RDSonFOMforhighefficiencyswitchingapplications •	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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