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PSMN015-100B规格书详情
General description
SiliconMAX standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
Features and benefits
■ Low conduction losses due to low
on-state resistance
■ Rated for avalanche ruggedness
Applications
■ DC-to-DC convertErs
■ Switched-mode power supplies
产品属性
- 型号：
PSMN015-100B
- 功能描述：
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
2016+ |
TO263 |
9000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
PHI |
22+23+ |
TO-263 |
8000 |
新到现货，只做原装进口 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
NA |
6000 |
原装现货订货价格优势 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
N/A |
16000 |
原装正品现货支持实单 |
询价 | ||
PHI |
2023+ |
SOT404(D2PAK |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
恩XP |
25+23+ |
TO-263 |
15703 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
TO-263 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
21+ |
NA |
12820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
TO-263 |
1400 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
恩XP |
1047 |
796 |
公司优势库存 热卖中! |
询价 |
