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PSMN015-100P	文件：102.98 Kbytes Page：9 Pages	N-channel TrenchMOS transistor GENERALDESCRIPTION SiliconMAXproductsusethelatestPhilipsTrenchtechnologytoachievethelowestpossibleon-stateresistanceineachpackageateachvoltagerating. FEATURES •’Trench’technology •Verylowon-stateresistance •Fastswitching •Lowthermalresistance Applications:-	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PSMN015-100P	文件：712.62 Kbytes Page：12 Pages	N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET 1.1Generaldescription SiliconMAXstandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)in aplasticpackageusingTrenchMOStechnology.Thisproductisdesignedandqualifiedfor useincomputing,communications,consumerandindustrialapplicationsonly. 1.2Featuresandb	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSMN015-100P	文件：949.09 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PSMN015-100P	文件：146.19 Kbytes Page：9 Pages	N-channel TrenchMOS transistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PSMN015-100YL	文件：726.68 Kbytes Page：13 Pages	N-channel100V,15m廓logiclevelMOSFETinLFPAK56	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PSMN015-100YSF	文件：332.13 Kbytes Page：14 Pages	NextPower100V,15.5mOhmN-channelMOSFETinLFPAK56package 1.Generaldescription NextPower100V,standardlevelgatedriveMOSFET.Qualifiedto175°Candrecommendedfor industrialandconsumerapplications. 2.Featuresandbenefits •LowQrrforhigherefficiencyandlowerspiking •LowQG×RDSonFOMforhighefficiencyswitchingapplications •	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
PSMN015-100P
功能描述：
MOSFET RAIL PWR-MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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