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PSMN015-100B中文资料安世数据手册PDF规格书

PSMN015-100B
厂商型号

PSMN015-100B

功能描述

N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET

文件大小

711.99 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-2 23:00:00

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PSMN015-100B规格书详情

1.1 General description

SiliconMAX standard level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in

a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for

use in computing, communications, consumer and industrial applications only.

1.2 Features and benefits

Low conduction losses due to low

on-state resistance

Rated for avalanche ruggedness

1.3 Applications

DC-to-DC convertors

Switched-mode power supplies

产品属性

  • 型号:

    PSMN015-100B

  • 功能描述:

    MOSFET TAPE13 PWR-MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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