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HM2505C	文件：475.24 Kbytes Page：9 Pages	Singlechannel3.0-15.0Vpeak15.0AH-bridgedriverchip	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
IIRL2505	文件：338.31 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF2505	文件：49.56 Kbytes Page：1 Pages	HighVoltagePowerMOSFETDieN-ChannelEnhancementModeHighRuggednessSeries FEATURES: •Fastswitchingtimes •LowRDS(on)HDMOS™process •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Excellenthighvoltagestability •Lowinputcapacitance •Improvedhightemperaturereliability APPLICATIONS: •Switchingpowersupplies •Motorcontrols •AudioAmplifiers •Invert	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRF2505	文件：435.69 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET DESCRIPTION TheNellIRF250isathree-terminalsilicondevicewithcurrentconductioncapabilityof30A,fastswitchingspeed,lowon-stateresistance,breakdownvoltageratingof200V,andmax.thresholdvoltageof4volts. Theyaredesignedforuseinapplicationssuchasswitchedmodepo	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
IRF2505	文件：84.86 Kbytes Page：2 Pages	50Wto500WHIGHPOWERWIREWOUNDRESISTORSFLATSHAPEDALUMINUMHOUSED	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
IRF2505	文件：137.76 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRds(on))athighvoltage •ImprovedInductiveruggedness •Excellenthighvoltagestability •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysillcongatecellstructure •LowInputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability •TO-3package(Highv	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF2505	文件：57.99 Kbytes Page：7 Pages	30A,200V,0.085Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisdesigned,testedandguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.TheseMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motor	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF2505	文件：22.05 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF2505	文件：215.26 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRds(on) •ImprovedInductiveruggedness •Excellenthighvoltagestability •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysillcongatecellstructure •LowInputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability •TO-3package(Highvoltage)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRL2505	文件：178.32 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	IRF International Rectifier	IRF

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更多DS2505-UNW-PPPP供应商更新时间2025-5-14 11:00:00

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