16M Nonvolatile SRAM

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MAXIM

美信

16M Nonvolatile SRAM

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DALLAS

16M Nonvolatile SRAM

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美信

16M非易失SRAM

DS1270 16M非易失SRAM为16,777,216位、全静态非易失SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。 • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据5年\n• 掉电期间数据被自动保护\n• 没有写次数限制\n• 低功耗CMOS操作\n• 70ns的读写存取时间 \n• 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态\n• ±10% VCC工作范围(DS1270Y) \n• 可选择±5% VCC工作范围(DS1270AB)\n• 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND;

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3.3V、16Mb非易失SRAM

DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM为16,777,216位、全静态NV SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。 • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据5年 \n• 掉电期间数据被自动保护 \n• 没有写次数限制 \n• 低功耗CMOS操作 \n• 100ns的读写存取时间 \n• 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态 \n• 可选的-40°C至+85°C工业级(IND)温度范围;

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亚德诺

16M非易失SRAM

DS1270 16M非易失SRAM为16,777,216位、全静态非易失SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。 • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据5年\n• 掉电期间数据被自动保护\n• 没有写次数限制\n• 低功耗CMOS操作\n• 70ns的读写存取时间 \n• 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态\n• ±10% VCC工作范围(DS1270Y) \n• 可选择±5% VCC工作范围(DS1270AB)\n• 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND;

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Package：36-DIP 模块（0.610"，15.49mm）；包装：管件 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP

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Package：36-DIP 模块（0.610"，15.49mm）；包装：管件 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP

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