DS1270W数据手册集成电路（IC）的存储器规格书PDF

描述 Description

DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM为16,777,216位、全静态NV SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

特性 Features

• 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据5年
• 掉电期间数据被自动保护
• 没有写次数限制
• 低功耗CMOS操作
• 100ns的读写存取时间
• 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
• 可选的-40°C至+85°C工业级(IND)温度范围

应用 Application

• 自动测试设备(ATE)
• 水电气表自动抄表
• 楼宇能源管理(HVAC)
• 电缆调制解调器
• 计算机：台式机、工作站和服务器
• 数字电视(接收机，机顶盒)
• 调制解调器(模拟、ISDN、DSL)
• 网络集线器、交换机和路由器
• 笔记本电脑
• 示波器
• 打印机与传真机
• 可编程逻辑控制器
• 存储系统
• 测试与测量设备

简介

DS1270W属于集成电路（IC）的存储器。由制造生产的DS1270W存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。