DS1258W数据手册集成电路（IC）的存储器规格书PDF
| 厂商型号 |
DS1258W |
| 参数属性 | DS1258W 封装/外壳为40-DIP 模块（0.610"，15.495mm）；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP |
| 功能描述 | 3.3V、128k x 16非易失SRAM |
| 封装外壳 | 40-DIP 模块（0.610"，15.495mm） |
| 制造商 | ADI Analog Devices |
| 中文名称 | 亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 20:00:00 |
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DS1258W规格书详情
描述 Description
DS1258W 3.3V、128k x 16非易失SRAM为2,097,152位、全静态非易失SRAM，按照16位、131,072字排列。每个NV SRAM自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电，写保护将无条件使能、以防数据被破坏。DIP封装的DS1258W器件可以用来替代利用各种分立元件构建的128k x 16非易失存储器。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
特性 Features
• 无外部电源时最少可以保存数据10年
• 掉电期间数据被自动保护
• 独立的向上/向下字节片选输入
• 没有写次数限制
• 低功耗CMOS操作
• 100ns的读写存取时间
• 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
• 可选的工业级温度范围为-40°C至+85°C，指定为IND
简介
DS1258W属于集成电路（IC）的存储器。由制造生产的DS1258W存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
技术参数
更多- 产品编号：
DS1258W-100
- 制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
非易失
- 存储器格式：
NVSRAM
- 技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
- 存储容量：
2Mb（128K x 16）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
100ns
- 电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
40-DIP 模块（0.610"，15.495mm）
- 供应商器件封装：
40-EDIP
- 描述：
IC NVSRAM 2MBIT PARALLEL 40EDIP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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