DS1250W中文资料3.3V、4096k非易失SRAM数据手册ADI规格书
| 厂商型号 |
DS1250W |
| 参数属性 | DS1250W 封装/外壳为32-DIP 模块（0.600"，15.24mm）；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP |
| 功能描述 | 3.3V、4096k非易失SRAM |
| 封装外壳 | 32-DIP 模块（0.600"，15.24mm） |
| 制造商 | ADI Analog Devices |
| 中文名称 | 亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-22 13:01:00 |
| 人工找货 | DS1250W价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
DS1250W规格书详情
描述 Description
DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM为4,194,304位、全静态非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。DIP封装的DS1250W器件可以用来替代现有的512k x 8静态RAM，符合通用的单字节宽、32引脚DIP标准。PowerCap模块封装的DS1250W器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
特性 Features
• 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
• 掉电期间数据被自动保护
• 替代512k x 8易失静态RAM、EEPROM或闪存
• 没有写次数限制
• 低功耗CMOS操作
• 100ns的读写存取时间
• 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
• 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND
• JEDEC标准的32引脚DIP封装
• PowerCap模块(PCM)封装
• 表面贴装模块
• 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
• 所有非易失SRAM器件提供标准引脚
• 分离的PCM用常规的螺丝起子便可方便拆卸
简介
DS1250W属于集成电路（IC）的存储器。由制造生产的DS1250W存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
技术参数
更多- 制造商编号
：DS1250W
- 生产厂家
：ADI
- Memory Type
：NV SRAM
- Memory Size
：512K x 8
- Bus Type
：Parallel
- Features
：DIP with Internal Battery
- VSUPPLY (min)(V)
：3
- VSUPPLY (max)(V)
：3.6
- RoHS Available
：See Data Sheet
- Oper. Temp.(°C)
：-40 to +85
- Package/ Pins
：MOD/32
- Smallest Available Pckg. (max w/pins)(mm2)
：596.9
- Budgetary Price (See Notes)
：$56.60 @1k
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ADI(亚德诺)/MAXIM(美信) |
24+ |
SMD34P |
7350 |
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询价 | ||
MAXIM(美信) |
2021+ |
EDIP-32 |
499 |
询价 | |||
DALLAS |
23+ |
DIP24 |
65480 |
询价 | |||
DALLAS |
25+ |
2987 |
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DALLAS |
22+ |
DIP |
12245 |
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DALLAS |
25+ |
版仔 |
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DALLAS |
06+ |
1000 |
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DALLAS |
24+ |
DIP-32 |
37500 |
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MAXIM/美信 |
24+ |
PowerCap Module-34 |
6000 |
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2023+ |
5800 |
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询价 |
