DS1245Y中文资料1024k非易失SRAM数据手册ADI规格书

描述 Description

DS1245 1024k非易失(NV) SRAM为1,048,576位、完全静态的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。DIP封装的DS1245器件可以用来替代现有的128k x 8静态RAM，符合通用的单字节宽、32引脚DIP标准。PowerCap模块封装的DS1245器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

特性 Features

• 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
• 掉电期间数据被自动保护
• 替代128k x 8易失静态RAM、EEPROM或闪存
• 没有写次数限制
• 低功耗CMOS
• 70ns的读写存取时间
• 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
• ±10% VCC工作范围(DS1245Y)
• 可选择±5% VCC工作范围(DS1245AB)
• 可选的工业级温度范围为-40°C至+85°C，指定为IND
• JEDEC标准的32引脚DIP封装
• PowerCap模块(PCM)封装
• 表面贴装模块
• 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
• 所有非易失SRAM器件提供标准引脚
• 分离的PowerCap用常规的螺丝起子便可方便拆卸

简介

DS1245Y属于集成电路（IC）的存储器。由制造生产的DS1245Y存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。