DS1230W数据手册集成电路（IC）的存储器规格书PDF
| 厂商型号 |
DS1230W |
| 参数属性 | DS1230W 封装/外壳为28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）；包装为托盘；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP |
| 功能描述 | 3.3V、256k非易失SRAM |
| 封装外壳 | 28-DIP 模块（0.600"，15.24mm） |
| 制造商 | ADI Analog Devices |
| 中文名称 | 亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
| 人工找货 | DS1230W价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
DS1230W规格书详情
描述 Description
DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电，写保护将无条件使能、以防数据被破坏。 DIP封装的DS1230W器件可以用来替代现有的32k x 8静态RAM，符合通用的单字节宽、28引脚DIP标准。DIP器件还与28256 EEPROM的引脚匹配，可直接替换并增强其性能。PowerCap模块封装的DS1230W器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
特性 Features
• 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
• 掉电期间数据被自动保护
• 替代32k x 8易失静态RAM、EEPROM或闪存
• 没有写次数限制
• 低功耗CMOS操作
• 100ns的读写时间
• 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
• 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND
• JEDEC标准的28引脚DIP封装
• PowerCap模块(PCM)封装
• 表面贴装模块
• 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
• 所有非易失SRAM器件提供标准引脚
• 分离的PowerCap用常规的螺丝起子便可方便拆卸
简介
DS1230W属于集成电路（IC）的存储器。由制造生产的DS1230W存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
技术参数
更多- 制造商编号
：DS1230W
- 生产厂家
：ADI
- Memory Type
：NV SRAM
- Memory Size
：32K x 8
- Bus Type
：Parallel
- Features
：DIP with Internal Battery
- VSUPPLY (min)(V)
：3
- VSUPPLY (max)(V)
：3.6
- RoHS Available
：See Data Sheet
- Oper. Temp.(°C)
：-40 to +85
- Package/ Pins
：MOD/28
- Smallest Available Pckg. (max w/pins)(mm2)
：629.9
- Budgetary Price (See Notes)
：$14.39 @1k
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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