DS1230W中文资料3.3V、256k非易失SRAM数据手册ADI规格书

描述 Description

DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电，写保护将无条件使能、以防数据被破坏。 DIP封装的DS1230W器件可以用来替代现有的32k x 8静态RAM，符合通用的单字节宽、28引脚DIP标准。DIP器件还与28256 EEPROM的引脚匹配，可直接替换并增强其性能。PowerCap模块封装的DS1230W器件可以直接表面贴安装、通常与DS9034PC PowerCap配合构成一个完整的非易失SRAM模块。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。

特性 Features

• 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
• 掉电期间数据被自动保护
• 替代32k x 8易失静态RAM、EEPROM或闪存
• 没有写次数限制
• 低功耗CMOS操作
• 100ns的读写时间
• 第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
• 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND
• JEDEC标准的28引脚DIP封装
• PowerCap模块(PCM)封装
• 表面贴装模块
• 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
• 所有非易失SRAM器件提供标准引脚
• 分离的PowerCap用常规的螺丝起子便可方便拆卸

简介

DS1230W属于集成电路（IC）的存储器。由ADI制造生产的DS1230W存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。