DS1220Y数据手册集成电路（IC）的存储器规格书PDF
| 厂商型号 |
DS1220Y |
| 参数属性 | DS1220Y 封装/外壳为24-DIP 模块（0.600"，15.24mm）；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP |
| 功能描述 | 16K非易失SRAM |
| 封装外壳 | 24-DIP 模块（0.600"，15.24mm） |
| 制造商 | ADI Analog Devices |
| 中文名称 | 亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 20:00:00 |
| 人工找货 | DS1220Y价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
DS1220Y规格书详情
描述 Description
DS1220Y 16k非易失SRAM为16,384位、全静态非易失RAM，按照8位、2048字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视VCC是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。NV SRAM器件可以直接用来替代现有的2k x 8 SRAM，符合通用的单字节宽、24引脚DIP标准。DS1220Y还与2716 EPROM或2816 EEPROM的引脚排列匹配，可直接替换并增强其性能。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
特性 Features
• 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
• 掉电期间数据被自动保护
• 直接替代2k x 8易失静态RAM或EEPROM
• 没有写次数限制
• 低功耗CMOS操作
• JEDEC标准的24引脚DIP封装
• 100ns的读写存取时间
• ±10%工作范围
• 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND
简介
DS1220Y属于集成电路（IC）的存储器。由制造生产的DS1220Y存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
技术参数
更多- 产品编号：
DS1220Y-100IND+
- 制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
非易失
- 存储器格式：
NVSRAM
- 技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
- 存储容量：
16Kb（2K x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
100ns
- 电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
24-DIP 模块（0.600"，15.24mm）
- 供应商器件封装：
24-EDIP
- 描述：
IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DALLAS |
25+ |
na |
294 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
DALLAS/Maxim |
20+ |
DIP24 |
35830 |
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询价 | ||
DALLAS |
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95+ |
2 |
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询价 | ||
DALLAS |
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DS |
23+ |
65480 |
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DALLAS |
25+ |
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询价 | ||
DALLAS |
24+ |
DIP |
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DALLAS授权代理品牌进口原装现货假一赔十 |
询价 |
