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DS1270AB-100	文件：173.5 Kbytes Page：8 Pages	16M Nonvolatile SRAM	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas
DS1270AB-100	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：36-DIP 模块（0.610"，15.49mm）；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
DS1270AB-100	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：36-DIP 模块（0.610"，15.49mm）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
DS1270AB-100IND	文件：173.5 Kbytes Page：8 Pages	16M Nonvolatile SRAM	DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体	Dallas

产品属性

产品编号：
DS1270AB-100
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
非易失
存储器格式：
NVSRAM
技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量：
16Mb（2M x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
100ns
电压 - 供电：
4.75V ~ 5.25V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
36-DIP 模块（0.610"，15.49mm）
供应商器件封装：
36-EDIP
描述：
IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP

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更多DS1270AB-100供应商更新时间2025-6-7 9:01:00

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