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DS1270Y

16M Nonvolatile SRAM

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Maxim

美信

DS1270Y

16M Nonvolatile SRAM

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Dallas

DS1270Y-100

16M Nonvolatile SRAM

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Dallas

DS1270Y-100IND

16M Nonvolatile SRAM

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Dallas

DS1270Y-70

16M Nonvolatile SRAM

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Dallas

DS1270Y-70#

16M Nonvolatile SRAM

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Maxim

美信

DS1270Y-70IND

16M Nonvolatile SRAM

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Dallas

DS1270Y-70IND#

16M Nonvolatile SRAM

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Maxim

美信

DS1270Y

16M非易失SRAM

DS1270 16M非易失SRAM为16,777,216位、全静态非易失SRAM,按照8位、2,097,152字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视VCC是否超出容差范围,一旦超出容差范围,锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。该器件没有写次数限制,可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。 • 在没有外部电源的情况下最少可以保存数据5年\n• 掉电期间数据被自动保护\n• 没有写次数限制\n• 低功耗CMOS操作\n• 70ns的读写存取时间 \n• 第一次上电前,锂电池与电路断开、维持保鲜状态\n• ±10% VCC工作范围(DS1270Y) \n• 可选择±5% VCC工作范围(DS1270AB)\n• 可选的-40°C至+85°C工业级温度范围,指定为IND;

ADI

亚德诺

DS1270Y-100

Package:36-DIP 模块(0.610",15.49mm);包装:卷带(TR) 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP

AD

亚德诺

技术参数

  • Memory Type:

    NV SRAM

  • Memory Size:

    2M x 8

  • Bus Type:

    Parallel

  • Features:

    DIP with Internal Battery

  • VSUPPLY (min)(V):

    4.5

  • VSUPPLY (max)(V):

    5.5

  • RoHS Available:

    See Data Sheet

  • Oper. Temp.(°C):

    -40 to +85

  • Package/ Pins:

    MOD/36

  • Budgetary Price (See Notes):

    $148.68 @1k

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
25+
DIP-16P
18000
原厂直接发货进口原装
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DALLAS
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自己公司全新库存绝对有货
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2000
原装现货专业代理,可以代拷程序
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DIP36
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
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正品原装--自家现货-实单可谈
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更多DS1270Y供应商 更新时间2025-10-9 17:57:00