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DS1270Y-100	文件：173.5 Kbytes Page：8 Pages	16M Nonvolatile SRAM 文件：173.5 Kbytes 页数：8 Pages	Dallas	Dallas
DS1270Y-100	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：36-DIP 模块（0.610"，15.49mm）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP	AD 亚德诺	AD
DS1270Y-100	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：36-DIP 模块（0.610"，15.49mm）；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP	AD 亚德诺	AD
DS1270Y-100IND	文件：173.5 Kbytes Page：8 Pages	16M Nonvolatile SRAM 文件：173.5 Kbytes 页数：8 Pages	Dallas	Dallas

产品属性

产品编号：
DS1270Y-100
制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
非易失
存储器格式：
NVSRAM
技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量：
16Mb（2M x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
100ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
36-DIP 模块（0.610"，15.49mm）
供应商器件封装：
36-EDIP
描述：
IC NVSRAM 16MBIT PARALLEL 36EDIP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市创新迹电子有限公司	DS1270Y-100	DALLAS	2021+	DIP	6800	原厂原装,欢迎咨询	询价
深圳市一线半导体有限公司	DS1270Y-100	DALLAS	24+		20000		询价
谛辉(北京/上海/青岛 )电子科技有限公司	DS1270Y-100	DALLAS	25+	DIP	18000	原厂直接发货进口原装	询价
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更多DS1270Y-100供应商更新时间2025-12-22 14:02:00

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