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DS1208	文件：18.61 Kbytes Page：5 Pages	dallas semiconductor reliability report 文件：18.61 Kbytes 页数：5 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
DS120W	文件：84.91 Kbytes Page：3 Pages	Surface Mount Schottky Barrier Rectifier 文件：84.91 Kbytes 页数：3 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
DS120W	文件：409.43 Kbytes Page：3 Pages	丝印：K120；Package：SOD123FL；Surface Mount Schottky Barrier Rectifier 文件：409.43 Kbytes 页数：3 Pages	YFWDIODE 佑风微	YFWDIODE
DS120W	文件：217.55 Kbytes Page：3 Pages	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 文件：217.55 Kbytes 页数：3 Pages	HORNBY 南通康比电子	HORNBY
DS120W	文件：309.3 Kbytes Page：6 Pages	丝印：S120；Package：SOD-123F；SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 文件：309.3 Kbytes 页数：6 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
DS120W	文件：312.37 Kbytes Page：6 Pages	丝印：S120；Package：SOD-123F；SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 文件：312.37 Kbytes 页数：6 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
DS120WV	文件：312.37 Kbytes Page：6 Pages	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER 文件：312.37 Kbytes 页数：6 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
ADS120J005D3	文件：1.14236 Mbytes Page：9 Pages	丝印：DS120005D3；Package：TO-252-2L；3 Generation 1200V/ 5 A SiC Schottky Barrier Diode AEC Q 101 qualified Revolutionary semiconductor material Silicon Carbide (SiC) N o reverse recovery High speed switching performance Temperature independent switching behavior System cost / size savings due to reduced cooling requirements J unction temperature range from 55 to 175 RoHS comp 文件：1.14236 Mbytes 页数：9 Pages	SANAN 三安光电	SANAN
ADS120J020C3	文件：1.19097 Mbytes Page：9 Pages	丝印：DS120020C3；Package：TO-220-2L；3 rd Generation 1200V /20A SiC Schottky Barrier Diode AEC Q 101 qualified Revolutionary semiconductor material Silicon Carbide (SiC) N o reverse recovery High speed switching performance Temperature independen t switching behavior System cost / size savings due to reduced cooling requirements J unction temperature range from 55 to 175 RoHS com 文件：1.19097 Mbytes 页数：9 Pages	SANAN 三安光电	SANAN
ADS120J020H3	文件：1.19289 Mbytes Page：9 Pages	丝印：DS120020H3；Package：TO-247-2L；3 rd Generation 1200V/20A SiC Schottky Barrier Diode AEC Q 101 qualified Revolutionary semiconductor material Silicon Carbide (SiC) N o reverse recovery High speed switching performance Temperature independen t switching behavior System cost / size savings due to reduced cooling requirements J unction temperature range from 55 to 175 RoHS com 文件：1.19289 Mbytes 页数：9 Pages	SANAN 三安光电	SANAN

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技术参数

VRRS V：
140
VDC V：
200
IF(AV) A：
1
IFSM A：
25
VF * V：
0.9
IR(MA)25℃：
0.1
IR(MA)100℃：
2
RθJL* ℃/W：
80
Tj℃：
100
Tstg℃：
-55℃~﹢125℃

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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