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DMT3020LDT	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.\n\n •Low Gate Threshold Voltage\n•Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)\n;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMT3020LFCL	文件：459.5 Kbytes Page：7 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：459.5 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT3020LFDB	文件：587.7 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：587.7 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT3020LFDF	文件：413.44 Kbytes Page：7 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：413.44 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No Y/N
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
8.5 A
IDS @ TC = +25°C：
N/A A
PD @ TA = +25°C：
0.67 W
PD @ TC = +25°C：
N/A W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
20 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
32 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.5 V
CISS Typ：
393 pF
CISS Condition [@VDS]：
15 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
3.6 nC
QG Typ @ VGS = 5V (nC)：
N/A
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
7 nC
Packages：
V-DFN3030-8

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