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DMT3020LFCL	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical Off-Board Profile of 0.6mm – Ideally Suited for Thin Applications\nLow RDS(ON) – Minimizes Conduction Losses\nPCB Footprint of 2.56mm2\nTotally Lead-Free & Fully RoHS Compliant\nHalogen and Antimony Free. “Green” Device;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMT3020LFCL	文件：459.5 Kbytes Page：7 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：459.5 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT3020LFDB	文件：587.7 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：587.7 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT3020LFDF	文件：413.44 Kbytes Page：7 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：413.44 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DS3020	文件：315.45 Kbytes Page：2 Pages	Temperature & Process Controller 文件：315.45 Kbytes 页数：2 Pages	TTELEC	TTELEC

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
7.6 A
PD @ TA = +25°C：
1.7 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
20 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
20 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
3.6 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
3.6 nC
Packages：
U-DFN1616-6 (Type K)

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更多DMT3020LFCL供应商更新时间2025-12-11 9:03:00

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