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DMT3020LFDB	文件：587.7 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：587.7 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT3020LFDB-13	文件：587.7 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：587.7 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT3020LFDB-7	文件：587.7 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：587.7 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMT3020LFDB	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. 0.6mm Profile – Ideal for Low Profile Applications\nLow Gate Threshold Voltage\nLow On-Resistance\nTotally Lead-Free & Fully RoHS Compliant\nHalogen and Antimony Free. “Green” Device\nQualified to AEC-Q101 standards for High Reliability;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMT3020LFDBQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP. •0.6mm Profile – Ideal for Low Profile Applications\n•Low On-Resistance\n•Halogen and Antimony Free. “Green” Device\n•The DMT3020LFDBQ is suitable for automotive applicationsrequiring specific change control; this part is AEC-Q101qualified, PPAP capable, and manufactured in IATF 16949certified facil;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
7.7 A
PD @ TA = +25°C：
1.8 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
20 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
32 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
3 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
3.6 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
7 nC
Packages：
U-DFN2020-6 (Type B)

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